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AT24C01A-10SI-2.7-T

AT24C01A-10SI-2.7-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C01A-10SI-2.7-T
PNEDA Part # AT24C01A-10SI-2-7-T
Descrizione IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 4.374
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AT24C01A-10SI-2.7-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C01A-10SI-2.7-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C01A-10SI-2.7-T, AT24C01A-10SI-2.7-T Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 310,1 KB)
PDFAT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT24C01A-10SI-2.7-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

6Tb (768G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Macronix

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

CY7C1418TV18-267BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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