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AT-41511-TR1

AT-41511-TR1

Solo per riferimento

Numero parte AT-41511-TR1
PNEDA Part # AT-41511-TR1
Descrizione RF TRANS NPN 12V SOT143
Produttore Broadcom
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT-41511-TR1 Risorse

Brand Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT-41511-TR1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
AT-41511-TR1, AT-41511-TR1 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 106,89 KB)
PDFAT-41533-TR1 Datasheet Copertura
AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 2 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 3 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 4 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 5 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 6 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 7 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 8 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 9 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 10 AT-41533-TR1 Datasheet Pagina 11

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AT-41511-TR1 Specifiche

ProduttoreBroadcom Limited
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Guadagno11dB ~ 15.5dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

MSC2295-BT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59

1214-220M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.4dB

Potenza - Max

700W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

JANTX2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

2N5770_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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