AS7C316096B-10BINTR
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| Numero parte | AS7C316096B-10BINTR |
| PNEDA Part # | AS7C316096B-10BINTR |
| Descrizione | IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.406 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS7C316096B-10BINTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS7C316096B-10BINTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS7C316096B-10BINTR, AS7C316096B-10BINTR Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 1.316,65 KB)
  
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AS7C316096B-10BINTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 10ns |
| Tempo di accesso | 10ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-LFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 256Gb (32G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 83MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 152-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 152-TBGA (14x18) |
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