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AS7C1025B-15JIN

AS7C1025B-15JIN

Solo per riferimento

Numero parte AS7C1025B-15JIN
PNEDA Part # AS7C1025B-15JIN
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.636
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C1025B-15JIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C1025B-15JIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C1025B-15JIN, AS7C1025B-15JIN Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 253,84 KB)
PDFAS7C1025B-15JIN Datasheet Copertura
AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 2 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 3 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 4 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 5 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 6 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 7 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 8 AS7C1025B-15JIN Datasheet Pagina 9

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AS7C1025B-15JIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso15ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOJ

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

EMBA232B2PB-DV-F-D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

S29GL512S11GHIV20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

56-FBGA (9x7)

47L04-I/W16K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EERAM

Tecnologia

EEPROM, SRAM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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