Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS7C1024C-12TJIN

AS7C1024C-12TJIN

Solo per riferimento

Numero parte AS7C1024C-12TJIN
PNEDA Part # AS7C1024C-12TJIN
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS7C1024C-12TJIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS7C1024C-12TJIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS7C1024C-12TJIN, AS7C1024C-12TJIN Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 113,53 KB)
PDFAS7C1024C-12JINTR Datasheet Copertura
AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 2 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 3 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 4 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 5 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 6 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 7 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 8 AS7C1024C-12JINTR Datasheet Pagina 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS7C1024C-12TJIN Datasheet
  • where to find AS7C1024C-12TJIN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS7C1024C-12TJIN
  • AS7C1024C-12TJIN PDF Datasheet
  • AS7C1024C-12TJIN Stock

  • AS7C1024C-12TJIN Pinout
  • Datasheet AS7C1024C-12TJIN
  • AS7C1024C-12TJIN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS7C1024C-12TJIN Price
  • AS7C1024C-12TJIN Distributor

AS7C1024C-12TJIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOJ

I prodotti a cui potresti essere interessato

IS61LF25618A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CY14B256L-SZ35XCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

25LC040AXT-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

IS49NLS18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (16M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-FCBGA (11x18.5)

Venduto di recente

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN

EL5211IYEZ-T13

EL5211IYEZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8HMSOP

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

ADG658YRUZ

ADG658YRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

FHAC0001ZXJ

FHAC0001ZXJ

Littelfuse

FUSE HLDR BLADE 32V 20A IN LINE

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

AT24C256C-SSHL-T

AT24C256C-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

BTA10-700BRG

BTA10-700BRG

STMicroelectronics

TRIAC 700V 10A TO220AB