AS6C2016-55BIN
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| Numero parte | AS6C2016-55BIN |
| PNEDA Part # | AS6C2016-55BIN |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.130 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS6C2016-55BIN Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS6C2016-55BIN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS6C2016-55BIN, AS6C2016-55BIN Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 502,22 KB)
  
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AS6C2016-55BIN Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 36Kb (4K x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 80-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 80-TQFP (14x14) |
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