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AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C8M32S-6TIN
PNEDA Part # AS4C8M32S-6TIN
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M32S-6TIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C8M32S-6TIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C8M32S-6TIN, AS4C8M32S-6TIN Datasheet (Totale pagine: 54, Dimensioni: 1.843,79 KB)
PDFAS4C8M32S-6TIN Datasheet Copertura
AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 2 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 3 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 4 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 5 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 6 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 7 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 8 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 9 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 10 AS4C8M32S-6TIN Datasheet Pagina 11

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AS4C8M32S-6TIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore86-TSOP II

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Dimensione della memoria

8Gb (8G x 1)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (512M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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