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AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C8M16SA-6BAN
PNEDA Part # AS4C8M16SA-6BAN
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16SA-6BAN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C8M16SA-6BAN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C8M16SA-6BAN, AS4C8M16SA-6BAN Datasheet (Totale pagine: 55, Dimensioni: 1.620,33 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Copertura
AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 2 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 3 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 4 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 5 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 6 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 7 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 8 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 9 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 10 AS4C8M16SA-6BANTR Datasheet Pagina 11

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  • AS4C8M16SA-6BAN Distributor

AS4C8M16SA-6BAN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-WBGA (9x13)

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

7016L20JI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

CY14B104N-BA45XIT

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (6x10)

24AA52T-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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