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AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C8M16S-7TCN
PNEDA Part # AS4C8M16S-7TCN
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C8M16S-7TCN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C8M16S-7TCN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C8M16S-7TCN, AS4C8M16S-7TCN Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 2.794,92 KB)
PDFAS4C8M16S-6TCN Datasheet Copertura
AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 2 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 3 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 4 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 5 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 6 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 7 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 8 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 9 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 10 AS4C8M16S-6TCN Datasheet Pagina 11

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AS4C8M16S-7TCN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina2ns
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP II

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Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AS7C164A-15PCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

S34ML01G200TFI500

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Produttore

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Serie

ML-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

STK14CA8-RF25

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

NM93C46LZEM8

ON Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

250kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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