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AS4C256M16D3A-12BCNTR

AS4C256M16D3A-12BCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C256M16D3A-12BCNTR
PNEDA Part # AS4C256M16D3A-12BCNTR
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C256M16D3A-12BCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C256M16D3A-12BCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C256M16D3A-12BCNTR, AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet (Totale pagine: 83, Dimensioni: 1.988,26 KB)
PDFAS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Copertura
AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 2 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 3 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 4 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 5 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 6 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 7 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 8 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 9 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 10 AS4C256M16D3A-12BCNTR Datasheet Pagina 11

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  • AS4C256M16D3A-12BCNTR Distributor

AS4C256M16D3A-12BCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (8x13)

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71V2556S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

M29W640GB70ZS6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (11x13)

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

IS49NLC36160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (16M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-FCBGA (11x18.5)

Produttore

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

86MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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