AS4C16M32MSA-6BINTR
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| Numero parte | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| PNEDA Part # | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.546 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C16M32MSA-6BINTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C16M32MSA-6BINTR, AS4C16M32MSA-6BINTR Datasheet
(Totale pagine: 47, Dimensioni: 2.372,08 KB)
  
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AS4C16M32MSA-6BINTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile SDRAM |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-FBGA (8x13) |
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