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AS4C128M16D3B-12BCNTR

AS4C128M16D3B-12BCNTR

Solo per riferimento

Numero parte AS4C128M16D3B-12BCNTR
PNEDA Part # AS4C128M16D3B-12BCNTR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C128M16D3B-12BCNTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C128M16D3B-12BCNTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C128M16D3B-12BCNTR, AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 1.967,38 KB)
PDFAS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Copertura
AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 2 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 3 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 4 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 5 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 6 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 7 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 8 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 9 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 10 AS4C128M16D3B-12BCNTR Datasheet Pagina 11

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AS4C128M16D3B-12BCNTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (8x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-N

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SST39VF200A-70-4C-MAQE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-WFBGA (6x4)

SST49LF008A-33-4C-NHE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST49

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

IDT70P3537S233RM

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

233MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.2ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

576-BBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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