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APTM50A15FT1G

APTM50A15FT1G

Solo per riferimento

Numero parte APTM50A15FT1G
PNEDA Part # APTM50A15FT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM50A15FT1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM50A15FT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM50A15FT1G, APTM50A15FT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 140,71 KB)
PDFAPTM50A15FT1G Datasheet Copertura
APTM50A15FT1G Datasheet Pagina 2 APTM50A15FT1G Datasheet Pagina 3 APTM50A15FT1G Datasheet Pagina 4 APTM50A15FT1G Datasheet Pagina 5

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APTM50A15FT1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5448pF @ 25V
Potenza - Max208W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CSP (1.77x3.54)

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TT Electronics/Optek Technology

Produttore

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A, 1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SMD

NTLLD4901NFTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V

Potenza - Max

800mW, 810mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

781W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 420mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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