APTM120U10DAG
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| Numero parte | APTM120U10DAG |
| PNEDA Part # | APTM120U10DAG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM120U10DAG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120U10DAG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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APTM120U10DAG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 58A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3290W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
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