APTM120H57FT3G
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| Numero parte | APTM120H57FT3G |
| PNEDA Part # | APTM120H57FT3G |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.766 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM120H57FT3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120H57FT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
APTM120H57FT3G, APTM120H57FT3G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 299,16 KB)
  
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APTM120H57FT3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 684mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| Potenza - Max | 390W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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