APTM120H140FT1G
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| Numero parte | APTM120H140FT1G |
| PNEDA Part # | APTM120H140FT1G |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.942 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM120H140FT1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120H140FT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM120H140FT1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| Potenza - Max | 208W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore Sanken Serie - Tipo FET 5 N-Channel, Common Source Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Potenza - Max 5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore 12-SIP w/fin |
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