APTM10UM01FAG
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Numero parte | APTM10UM01FAG | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | APTM10UM01FAG | ||||||||||||||||||
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 177 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APTM10UM01FAG Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTM10UM01FAG |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APTM10UM01FAG Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 860A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 275A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60000pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2500W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / Custodia | SP6 |
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