APTM10DHM09T3G
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| Numero parte | APTM10DHM09T3G |
| PNEDA Part # | APTM10DHM09T3G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM10DHM09T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM10DHM09T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM10DHM09T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS V® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 139A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Potenza - Max | 390W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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