APTM10DDAM09T3G
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Numero parte | APTM10DDAM09T3G |
PNEDA Part # | APTM10DDAM09T3G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.070 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM10DDAM09T3G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTM10DDAM09T3G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM10DDAM09T3G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Potenza - Max | 390W |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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