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APTGV25H120BG

APTGV25H120BG

Solo per riferimento

Numero parte APTGV25H120BG
PNEDA Part # APTGV25H120BG
Descrizione IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.614
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGV25H120BG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGV25H120BG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGV25H120BG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
ConfigurazioneBoost Chopper, Full Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Potenza - Max156W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.8nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

350A

Potenza - Max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF600R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

4050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP10R12W1T4BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Potenza - Max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS100R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF25A120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

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