APTGV15H120T3G
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| Numero parte | APTGV15H120T3G |
| PNEDA Part # | APTGV15H120T3G |
| Descrizione | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGV15H120T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGV15H120T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
APTGV15H120T3G, APTGV15H120T3G Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 366,38 KB)
  
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APTGV15H120T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 25A |
| Potenza - Max | 115W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 280A Potenza - Max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 4mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D1 Pacchetto dispositivo fornitore D1 |
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