APTGT75DA170D1G
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| Numero parte | APTGT75DA170D1G |
| PNEDA Part # | APTGT75DA170D1G |
| Descrizione | IGBT 1700V 120A 520W D1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.578 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT75DA170D1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGT75DA170D1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGT75DA170D1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Potenza - Max | 520W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 75A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | D1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 290A Potenza - Max 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
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