APTGT50DDA60T3G
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| Numero parte | APTGT50DDA60T3G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APTGT50DDA60T3G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 4.667 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APTGT50DDA60T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGT50DDA60T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGT50DDA60T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Dual Boost Chopper |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Potenza - Max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
