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APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT35X120T3G
PNEDA Part # APTGT35X120T3G
Descrizione IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT35X120T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT35X120T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGT35X120T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Potenza - Max208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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APTGV50H120T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FD650R17IE4BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePack™2

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

930A

Potenza - Max

4150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 650A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FAM65CR51DZ2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGV25H120T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

IXGN200N60

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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