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APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT30DDA60T3G
PNEDA Part # APTGT30DDA60T3G
Descrizione IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT30DDA60T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT30DDA60T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGT30DDA60T3G, APTGT30DDA60T3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 259,16 KB)
PDFAPTGT30DDA60T3G Datasheet Copertura
APTGT30DDA60T3G Datasheet Pagina 2 APTGT30DDA60T3G Datasheet Pagina 3 APTGT30DDA60T3G Datasheet Pagina 4 APTGT30DDA60T3G Datasheet Pagina 5

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APTGT30DDA60T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneDual Boost Chopper
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max90W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.6nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FMG2G75US120

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

7PM-GA

Pacchetto dispositivo fornitore

7PM-GA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

145A

Potenza - Max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF450R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

C

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

520A

Potenza - Max

2400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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Module

APTGT200A602G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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