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APTGT200TL60G

APTGT200TL60G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT200TL60G
PNEDA Part # APTGT200TL60G
Descrizione POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.110
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT200TL60G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT200TL60G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGT200TL60G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Level Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max652W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce12.2nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

380A

Potenza - Max

893W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APTGT300DU60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

430A

Potenza - Max

1150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.45nF @ 20V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

155A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

446W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.08V @ 15V, 75A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.45nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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