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APTGLQ50DDA65T3G

APTGLQ50DDA65T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGLQ50DDA65T3G
PNEDA Part # APTGLQ50DDA65T3G
Descrizione POWER MODULE - IGBT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGLQ50DDA65T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGLQ50DDA65T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGLQ50DDA65T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneDual Boost Chopper
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Potenza - Max175W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.1nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitore-

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APTGF15X120T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

19A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

900µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E1

Pacchetto dispositivo fornitore

E1

HIGFEB1BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

F3L300R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

F3L200R12N2H3B47BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™2

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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