APTGLQ30H65T3G
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| Numero parte | APTGLQ30H65T3G |
| PNEDA Part # | APTGLQ30H65T3G |
| Descrizione | POWER MODULE - IGBT |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.780 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGLQ30H65T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGLQ30H65T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGLQ30H65T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 40A |
| Potenza - Max | 95W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 50µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.9nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70A Potenza - Max 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 35A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.4nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia POWIR® 34 Module Pacchetto dispositivo fornitore POWIR® 34 |
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