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APTGF50DSK120T3G

APTGF50DSK120T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGF50DSK120T3G
PNEDA Part # APTGF50DSK120T3G
Descrizione MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGF50DSK120T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGF50DSK120T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGF50DSK120T3G, APTGF50DSK120T3G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 540,49 KB)
PDFAPTGF50DSK120T3G Datasheet Copertura
APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 2 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 3 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 4 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 5 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 6 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 7 APTGF50DSK120T3G Datasheet Pagina 8

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APTGF50DSK120T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneDual Buck Chopper
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Potenza - Max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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APTGT200DH120G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

IRG5K200HF06B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

340A

Potenza - Max

800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11.9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

FZ1200R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IFS150B12N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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