APTCV60HM45BC20T3G
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| Numero parte | APTCV60HM45BC20T3G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APTCV60HM45BC20T3G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 29 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APTCV60HM45BC20T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTCV60HM45BC20T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTCV60HM45BC20T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Boost Chopper, Full Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Potenza - Max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Potenza - Max 245W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia POWIR® 34 Module Pacchetto dispositivo fornitore POWIR® 34 |
