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APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTC90HM60T3G
PNEDA Part # APTC90HM60T3G
Descrizione MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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APTC90HM60T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC90HM60T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC90HM60T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETSuper Junction
Tensione Drain to Source (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C59A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 100V
Potenza - Max462W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1715pF @ 15V

Potenza - Max

1W, 1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power Clip 56

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 15V

Potenza - Max

390mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

ZXMN3A06DN8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

796pF @ 25V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

2N7002DW

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

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