APTC90DAM60CT1G
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Numero parte | APTC90DAM60CT1G |
PNEDA Part # | APTC90DAM60CT1G |
Descrizione | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.124 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC90DAM60CT1G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTC90DAM60CT1G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APTC90DAM60CT1G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Pacchetto / Custodia | SP1 |
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