APTC60TAM35PG
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| Numero parte | APTC60TAM35PG |
| PNEDA Part # | APTC60TAM35PG |
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.056 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60TAM35PG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTC60TAM35PG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTC60TAM35PG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 72A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Potenza - Max | 416W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore U-WLB1010-4 |
