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APTC60DDAM70CT1G

APTC60DDAM70CT1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC60DDAM70CT1G
PNEDA Part # APTC60DDAM70CT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.060
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60DDAM70CT1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60DDAM70CT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC60DDAM70CT1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETSuper Junction
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Potenza - Max250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1821pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI7925DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

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