APTC60DAM24T1G
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| Numero parte | APTC60DAM24T1G |
| PNEDA Part # | APTC60DAM24T1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.010 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTC60DAM24T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTC60DAM24T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
APTC60DAM24T1G, APTC60DAM24T1G Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 469,75 KB)
  
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APTC60DAM24T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
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