APT85GR120B2
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| Numero parte | APT85GR120B2 |
| PNEDA Part # | APT85GR120B2 |
| Descrizione | IGBT 1200V 170A 962W TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT85GR120B2 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT85GR120B2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT85GR120B2 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 170A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 340A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Potenza - Max | 962W |
| Switching Energy | 6mJ (on), 3.8mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 660nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 43ns/300ns |
| Condizione di test | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Logic Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 36-DIP Module, 24 Leads Pacchetto dispositivo fornitore DIP 36x23D |
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