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APT75GN120LG

APT75GN120LG

Solo per riferimento

Numero parte APT75GN120LG
PNEDA Part # APT75GN120LG
Descrizione IGBT 1200V 200A 833W TO264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $168,1897
50 ---------- $160,3058
100 ---------- $152,4219
200 ---------- $144,5380
400 ---------- $137,9681
500 ---------- $131,3982
Disponibile 97
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT75GN120LG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT75GN120LG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT75GN120LG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max833W
Switching Energy8620µJ (on), 11400µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge425nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C60ns/620ns
Condizione di test800V, 75A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 [L]

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IXBL64N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

116A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

750A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

400nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.2A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Potenza - Max

62W

Switching Energy

220µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/260ns

Condizione di test

800V, 2A, 91Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

238W

Switching Energy

138µJ (on), 52µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16.4ns/86.4ns

Condizione di test

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31.8ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

-

Switching Energy

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Tipo di ingresso

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-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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