APT60M75JVFR
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| Numero parte | APT60M75JVFR |
| PNEDA Part # | APT60M75JVFR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 3 - lug 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT60M75JVFR Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT60M75JVFR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT60M75JVFR Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS V® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 31A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1050nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19800pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot Pacchetto / Custodia 4-UFBGA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3975pF @ 22.5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerSMD, Flat Leads |
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