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APT55M50JFLL

APT55M50JFLL

Solo per riferimento

Numero parte APT55M50JFLL
PNEDA Part # APT55M50JFLL
Descrizione MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT55M50JFLL Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT55M50JFLL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
APT55M50JFLL, APT55M50JFLL Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 171,68 KB)
PDFAPT55M50JFLL Datasheet Copertura
APT55M50JFLL Datasheet Pagina 2 APT55M50JFLL Datasheet Pagina 3 APT55M50JFLL Datasheet Pagina 4 APT55M50JFLL Datasheet Pagina 5

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APT55M50JFLL Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C77A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 38.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs265nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)694W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2N6660JTXV02

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

990mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-205AD (TO-39)

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

IRF510STRLPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 3.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 15V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

252W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 50V

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-

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