APT50GT120B2RDQ2G
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| Numero parte | APT50GT120B2RDQ2G |
| PNEDA Part # | APT50GT120B2RDQ2G |
| Descrizione | IGBT 1200V 94A 625W TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.760 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GT120B2RDQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT50GT120B2RDQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT50GT120B2RDQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 94A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 2330µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/230ns |
| Condizione di test | 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 117A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A Potenza - Max 500W Switching Energy 1192µJ (on), 1088µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 162nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 18ns/131ns Condizione di test 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 [L] |
Produttore Global Power Technologies Group Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Potenza - Max 347W Switching Energy 2.66mJ (on), 1.53mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 225nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 45ns/150ns Condizione di test 400V, 60A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 140ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.67V @ 15V, 40A Potenza - Max 231W Switching Energy 989µJ (on), 310µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 306nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 32ns/271ns Condizione di test 400V, 40A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 89ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
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