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APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

Solo per riferimento

Numero parte APT50GS60BRDLG
PNEDA Part # APT50GS60BRDLG
Descrizione IGBT 600V 93A 415W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GS60BRDLG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GS60BRDLG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT50GS60BRDLG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)93A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)195A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 50A
Potenza - Max415W
Switching Energy755µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge235nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C16ns/225ns
Condizione di test400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Potenza - Max

430W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

410nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

IKP08N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Potenza - Max

70W

Switching Energy

70µJ (on), 30µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

22nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/115ns

Condizione di test

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

IRGS4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

63W

Switching Energy

73µJ (on), 47µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/100ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

93ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRGP4266D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IGD01N120H2BUMA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.2A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

3.5A

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2.8V @ 15V, 1A

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140µJ

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Gate Charge

8.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/370ns

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Pacchetto / Custodia

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PG-TO252-3

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