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APT50GR120B2

APT50GR120B2

Solo per riferimento

Numero parte APT50GR120B2
PNEDA Part # APT50GR120B2
Descrizione IGBT 1200V 117A 694W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GR120B2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GR120B2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT50GR120B2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)117A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 50A
Potenza - Max694W
Switching Energy2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge445nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/237ns
Condizione di test600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

555W

Switching Energy

2.24mJ (on), 1.02mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

370nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/464ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

65ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

ISL9V5036S3ST_SB82170

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

IRGP4269D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STGW25H120F2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

600µJ (on), 700µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

29ns/130ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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70A

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