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APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Solo per riferimento

Numero parte APT50GF120JRDQ3
PNEDA Part # APT50GF120JRDQ3
Descrizione IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.176
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GF120JRDQ3 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GF120JRDQ3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT50GF120JRDQ3 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)120A
Potenza - Max521W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)750µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce5.32nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT70GR120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

112A

Potenza - Max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

BSM300GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

430A

Potenza - Max

2500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5.6mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

22nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Potenza - Max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

MiniPack2

Pacchetto dispositivo fornitore

MiniPack2

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

Input

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Temperatura di esercizio

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