APT45GR65B2DU30
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| Numero parte | APT45GR65B2DU30 |
| PNEDA Part # | APT45GR65B2DU30 |
| Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.742 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT45GR65B2DU30 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT45GR65B2DU30 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT45GR65B2DU30 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 118A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Potenza - Max | 543W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/100ns |
| Condizione di test | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
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Produttore IXYS Serie BIMOSFET™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 230A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A Potenza - Max 250W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 140nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) 1.06µs Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 |
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