APT45GP120B2DQ2G
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| Numero parte | APT45GP120B2DQ2G |
| PNEDA Part # | APT45GP120B2DQ2G |
| Descrizione | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT45GP120B2DQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT45GP120B2DQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT45GP120B2DQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 113A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 170A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 185nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 18ns/100ns |
| Condizione di test | 600V, 45A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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