APT35GP120BG
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| Numero parte | APT35GP120BG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT35GP120BG | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 403 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT35GP120BG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT35GP120BG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT35GP120BG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 96A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 140A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 543W |
| Switching Energy | 750µJ (on), 680µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/94ns |
| Condizione di test | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 23A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Potenza - Max 100W Switching Energy 160µJ (on), 200µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 50nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/78ns Condizione di test 480V, 12A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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