APT35GP120B2DQ2G
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| Numero parte | APT35GP120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT35GP120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 98 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT35GP120B2DQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT35GP120B2DQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 96A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 140A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 543W |
| Switching Energy | 750µJ (on), 680µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/95ns |
| Condizione di test | 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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