APT33GF120B2RDQ2G
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| Numero parte | APT33GF120B2RDQ2G |
| PNEDA Part # | APT33GF120B2RDQ2G |
| Descrizione | IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.284 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT33GF120B2RDQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT33GF120B2RDQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT33GF120B2RDQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 64A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 357W |
| Switching Energy | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 14ns/185ns |
| Condizione di test | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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