APT25SM120S
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| Numero parte | APT25SM120S |
| PNEDA Part # | APT25SM120S |
| Descrizione | POWER MOSFET - SIC |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT25SM120S Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT25SM120S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT25SM120S Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 175W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
| Pacchetto / Custodia | D-3 Module |
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