APT25GP120BDQ1G
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| Numero parte | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 493 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT25GP120BDQ1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT25GP120BDQ1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT25GP120BDQ1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 69A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 417W |
| Switching Energy | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/70ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
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